RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
56
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
56
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
20.1
Скорость записи, Гб/сек
8.7
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
2455
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link