RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
3291
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. Quad-Vulcan-1866 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link