RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
2542
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link