RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
63
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
10.9
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
1863
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link