RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
77
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
11.9
Скорость записи, Гб/сек
10.9
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
1517
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link