G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 50

Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 17.2

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

13.1 10.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

31 50
Скорость чтения, Гб/сек

17.4 17.2
Скорость записи, Гб/сек

10.9 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2735 3277

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-049.A00LF 8GB

Kingston 9965516-049.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB

G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB

модули RAM

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

модули RAM

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

модули RAM