RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.2
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
31
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
10.9
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
3300
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link