RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около -24% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
14.2
Скорость записи, Гб/сек
10.9
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2104
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link