RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около -29% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.9
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2731
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link