RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
35
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
35
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
14.9
Скорость записи, Гб/сек
10.9
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2652
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link