RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
17.4
Скорость записи, Гб/сек
10.9
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
3692
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link