G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 55

Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 16.3

Среднее значение в тестах

Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

12.3 10.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

31 55
Скорость чтения, Гб/сек

17.4 16.3
Скорость записи, Гб/сек

10.9 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2735 2653

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston 9965589-007.D01G 8GB

Kingston 9965589-007.D01G 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB

Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Value-800 2GB

Team Group Inc. Team-Value-800 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB

Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB

модули RAM