RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
31
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
19
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
19.4
Скорость записи, Гб/сек
10.9
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
3290
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link