RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB против Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
36
Около -9% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
10.4
Скорость записи, Гб/сек
10.5
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2618
1806
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link