G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB против Kingston KHYXPX-MID 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB

Средняя оценка

Kingston KHYXPX-MID 8GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 35

Около 17% меньшая задержка

Kingston KHYXPX-MID 8GB

Причины выбрать
Kingston KHYXPX-MID 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.9 11.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.9 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 35
Скорость чтения, Гб/сек

11.7 13.9
Скорость записи, Гб/сек

8.1 8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2123 2127

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB

Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB

Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Kingston XWM8G1-MIE 32GB

Kingston XWM8G1-MIE 32GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

модули RAM