G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB против Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB

G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB

Средняя оценка

Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB

Сообщить об ошибке

Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

Причины выбрать
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 41

Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.6 14.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.0 8.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 35
Скорость чтения, Гб/сек

14.3 18.6
Скорость записи, Гб/сек

8.8 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2458 3292

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB

G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9905625-152.A00G 16GB

Kingston 9905625-152.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

AMD R748G2133U2S-UO 8GB

AMD R748G2133U2S-UO 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N

модули RAM