RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB против Kingston 9905702-017.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
35
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.1
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
10.7
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2644
2801
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link