G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 38

Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 14.6

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

12.2 11.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

21 38
Скорость чтения, Гб/сек

16.0 14.6
Скорость записи, Гб/сек

11.1 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2581 2915

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Kingston 9905744-062.A00G 32GB

Kingston 9905744-062.A00G 32GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kingston 9905713-028.A00G 8GB

Kingston 9905713-028.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB

Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

модули RAM