G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB против Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Средняя оценка

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 36

Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 15.8

Среднее значение в тестах

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

11.8 11.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

21 36
Скорость чтения, Гб/сек

16.0 15.8
Скорость записи, Гб/сек

11.1 11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2581 2497

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Corsair MK16GX44A2666C16 4GB

Corsair MK16GX44A2666C16 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB

Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston KH2400C15D4/8 8GB

Kingston KH2400C15D4/8 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB

Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Kingston 9905678-139.A00G 8GB

Kingston 9905678-139.A00G 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB

Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB

модули RAM