RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
31
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
18.7
Скорость записи, Гб/сек
10.8
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2904
3380
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link