RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
36
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
13.9
Скорость записи, Гб/сек
10.8
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2904
2581
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link