RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB против Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
38
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
16.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
10.8
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2904
3030
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link