RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB против Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.2
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
43
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
11.6
Скорость записи, Гб/сек
10.8
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2904
2615
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link