G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Средняя оценка

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.4 14.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.0 8.5

Среднее значение в тестах

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

Причины выбрать
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 36

Около -29% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 28
Скорость чтения, Гб/сек

16.4 14.8
Скорость записи, Гб/сек

11.0 8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2729 2665

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Kingston 9932301-P01.A00G 4GB

Kingston 9932301-P01.A00G 4GB

модули RAM

Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB

Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB

Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB

Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB

модули RAM