RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
38
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
11.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2729
2346
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link