RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
34
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
11.3
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
3356
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link