RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
11.3
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
2839
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link