G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Средняя оценка

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 37

Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.3 7.9

Среднее значение в тестах

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

34 37
Скорость чтения, Гб/сек

16.8 9.8
Скорость записи, Гб/сек

11.3 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2968 2229

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N

модули RAM

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB

Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

модули RAM