RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около -42% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
11.3
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
2191
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link