RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
34
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
11.3
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
3729
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link