G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 60

Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.2 16.6

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

15.3 11.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 60
Скорость чтения, Гб/сек

18.2 16.6
Скорость записи, Гб/сек

11.5 15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3067 2813

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Kingston 9905743-043.A00G 16GB

Kingston 9905743-043.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston 99U5701-049.A00G 16GB

Kingston 99U5701-049.A00G 16GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB

Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

модули RAM