RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.2
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
11.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2711
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 64T256800EU2.OC 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link