RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
28
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
21
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
18.7
Скорость записи, Гб/сек
11.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2807
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link