RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
11.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2479
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link