G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.2 17.4

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

14.6 11.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 28
Скорость чтения, Гб/сек

18.2 17.4
Скорость записи, Гб/сек

11.5 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3067 3563

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

модули RAM

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9905743-043.A00G 16GB

Kingston 9905743-043.A00G 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston 9905625-142.A00G 16GB

Kingston 9905625-142.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB

Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB

Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

модули RAM