RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
11.5
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2104
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link