RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
11.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2731
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link