RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
11.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2532
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link