G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Средняя оценка

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 23

Около 9% меньшая задержка

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

Причины выбрать
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.5 17.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.5 12.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

21 23
Скорость чтения, Гб/сек

17.4 17.5
Скорость записи, Гб/сек

12.2 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3130 3260

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB

V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB

Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

модули RAM