G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 21

Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.4 17.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.2 12.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

21 20
Скорость чтения, Гб/сек

17.4 18.4
Скорость записи, Гб/сек

12.2 14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3130 3540

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

AMD R7S48G2400U2S 8GB

AMD R7S48G2400U2S 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB

модули RAM

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Kingston 9905624-018.A00G 8GB

Kingston 9905624-018.A00G 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB

Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston 99U5702-094.A00G 8GB

Kingston 99U5702-094.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Kingston 9905625-096.A00G 16GB

Kingston 9905625-096.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Kingston 99U5700-028.A00G 8GB

Kingston 99U5700-028.A00G 8GB

модули RAM