RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
35
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
35
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
10.0
Скорость записи, Гб/сек
12.2
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3130
2068
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Сравнения RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link