RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
41
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
41
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
8.9
Скорость записи, Гб/сек
12.2
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3130
2126
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Сравнения RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link