G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.2 18

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.2 13.9

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 30

Около -3% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 29
Скорость чтения, Гб/сек

18.2 18.0
Скорость записи, Гб/сек

14.2 13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 17000

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3389 3049

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905598-009.A00G 8GB

Kingston 9905598-009.A00G 8GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

модули RAM