G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

24 19.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

20.0 16.5

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 29

Около -4% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 28
Скорость чтения, Гб/сек

24.0 19.3
Скорость записи, Гб/сек

20.0 16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 17000

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

4156 3889

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB

Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

модули RAM