RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
24
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
20.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
2502
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G6E1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link