RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
24
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
20.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
2620
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link