RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сравнить
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB против G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
22
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
13.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
20
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
19.4
Скорость записи, Гб/сек
13.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3679
3217
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965432-082.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link