G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB против G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 25

Около 12% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 17000

Около 1.13% выше полоса пропускания

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

25.2 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

19.5 13.5

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

22 25
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 25.2
Скорость записи, Гб/сек

13.5 19.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 17000

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3679 4167

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905744-076.A00G 16GB

Kingston 9905744-076.A00G 16GB

модули RAM

Corsair CM2X2048-6400C5 2GB

Corsair CM2X2048-6400C5 2GB

Kingston 9905664-010.A00G 4GB

Kingston 9905664-010.A00G 4GB

модули RAM

Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB

Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kingston 9905625-011.A00G 8GB

Kingston 9905625-011.A00G 8GB

модули RAM