RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сравнить
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
25
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
13.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3679
2704
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link