G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB против Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Средняя оценка

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.8 17.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.7 14.5

Среднее значение в тестах

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

Причины выбрать
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 26

Около -13% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 23
Скорость чтения, Гб/сек

17.8 17.5
Скорость записи, Гб/сек

15.7 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 21300

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3867 3260

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Kingston 9905678-177.A00G 8GB

Kingston 9905678-177.A00G 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB

Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB

Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

модули RAM